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IRF7831PBF中文资料

IRF7831PBF图片

IRF7831PBF外观图

  • 大小：6KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
  • 标准包装：95
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：21A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.6 毫欧 @ 20A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：60nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：6240pF @ 15V
  • 功率 - 最大：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SO
  • 包装：管件

IRF7831PBF供应商

更新时间:2023-01-01 02:17:52
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